出于兼容性的考虑，DDR2标准在制定之初似乎显得有些缩手缩脚，这也直接导致其各方面表现比起DDR没有长足进步。新一代的DDR3采用了ODT（核心整合终结器）技术以及用于优化性能的EMRS技术，同时也允许输入时钟异步。在针脚定义方面，DDR3表现出很强的独立性，甚至敢于彻底抛弃TSOPII与mBGA封装形式，采用更为先进的FBGA封装（如图10）。DDR III内存用了0.08微米制造工艺制造，将工作在1.5V的电压下。
从长远趋势来看，拥有单芯片位宽以及频率和功耗优势的DDR3是令人鼓舞的，不过普及之路还相当遥远。DDR3内存在2007年上市，芯片组以及业界发展具体形势不好预测，DDRIII的规格也可能在不断地演变，但是一个不变的真理，那就是DDR2一样也会被更新一代的内存所取代，至于这个取代过程有多久，谁也无法准确地预测出来。
从长远趋势来看，拥有单芯片位宽以及频率和功耗优势的DDR3是令人鼓舞的，不过普及之路还相当遥远。DDR3内存在2007年上市，芯片组以及业界发展具体形势不好预测，DDRIII的规格也可能在不断地演变，但是一个不变的真理，那就是DDR2一样也会被更新一代的内存所取代，至于这个取代过程有多久，谁也无法准确地预测出来。