HY6DU12822CTP D43
HY：是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
6D:内存芯片类型=DDR SDRAM。
U：处理工艺及供电VDD=2.5V & VDDQ=2.5V。
12：芯片容量密度和刷新速度=512M 8K刷新。
8：内存条芯片结构=8颗芯片。
2：内存bank（储蓄位）=4 bank。
2：接口类型=SSTL_2。
C:内核代号=第4代.
T:封装类型=TSOP.
P:封装原料=铅.
D43:速度=DDR400 3-3-3.
HY：是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
6D:内存芯片类型=DDR SDRAM。
U：处理工艺及供电VDD=2.5V & VDDQ=2.5V。
12：芯片容量密度和刷新速度=512M 8K刷新。
8：内存条芯片结构=8颗芯片。
2：内存bank（储蓄位）=4 bank。
2：接口类型=SSTL_2。
C:内核代号=第4代.
T:封装类型=TSOP.
P:封装原料=铅.
D43:速度=DDR400 3-3-3.
